Найдено компонентов: 6152
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
LT1210-3R9K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 3.9мкГн, 10%, Q=20, 1.35Ом, 910мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-4R7K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 4.7мкГн, 10%, Q=20, 1.48Ом, 880мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT0805-270J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 27мкГн,5%, Q=10, 10Ом, 230мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT0805-330J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 33мкГн,5%, Q=10, 13.5Ом, 200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT0805-390J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 39мкГн,5%, Q=10, 16Ом, 190мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-1R0K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1мкГн, 10%, Q=20, 0.45Ом, 1500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-1R2K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1.2мкГн, 10%, Q=20, 0.49Ом, 1300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-1R5K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1.5мкГн, 10%, Q=20, 0.68Ом, 1200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS74T-150M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 7.3*7.3*4.5мм, 15мкГн, 20%, 0.081Ом, 1.47А (аналог CDRH74-150M)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS2D18HP-2R2M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 3.2*3.2*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.6А (аналог CDRH2D18/HPNP-2R2NC)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.06Ом, 2.2А (аналог NRS5030T4R7MMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-2R0M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 2мкГн, 30%, 7.4А, 0.011Ом (аналог NR8040T2R0*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVM202012-4R7M-NTCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*2.0*1.2мм, 4.7мкГн, 20%, 0.21Ом, 1.3А (аналог NRS2012T4R7MGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 4.7мкГн, 20%, 5.5А, 0.018Ом (аналог NR8040T4R7*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-100M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 10мкГн, 20%, 3.8А, 0.038Ом (аналог NR8040T100M)
По запросу
под заказ
12,37
LVM202012-2R2M-NTCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*2.0*1.2мм, 2.2мкГн, 20%, 0.095Ом, 2А (аналог NRS2012T2R2MGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-2R2M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.03Ом, 3.3А (аналог NRS5030T2R2NMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-100M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 10мкГн, 20%, 0.125Ом, 1.6А (аналог NRS5030T100MMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-150M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 15мкГн, 20%, 3.2А, 0.05Ом (аналог NR8040T150M)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CLH1608T-3N3S-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 3.3нГн, ±0.3нГн, 0.6А, Q=10, 0.12Ом (аналог ELJ-RE3N3D*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CLH1608T-6N8J-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 6.8нГн, 5%, 0.6А, Q=10, 0.22Ом (аналог ELJ-RE6N8J*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CLH1608T-8N2J-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 8.2нГн, 5%, 0.6А, Q=10, 0.24Ом (аналог ELJ-RE8N2J*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLCV453232T-100K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 4.5*3.2*3.2мм, 10мкГн, 10%, 0.55А (аналог CC453232-100K)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLCV453232T-220K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 4.5*3.2*3.2мм, 22мкГн, 10%, 0.37А (аналог CC453232-220K)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CHQ0603T-1N2B-HUCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0201, 1.2нГн, ±0.1нГн, Q=14, 0.08Ом, 800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу