Найдено компонентов: 6152
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
LVF505020-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.06Ом, 2.2А (аналог NRS5030T4R7MMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-2R0M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 2мкГн, 30%, 7.4А, 0.011Ом (аналог NR8040T2R0*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVM202012-4R7M-NT — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*2.0*1.2мм, 4.7мкГн, 20%, 0.21Ом, 1.3А (аналог NRS2012T4R7MGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 4.7мкГн, 20%, 5.5А, 0.018Ом (аналог NR8040T4R7*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 10мкГн, 20%, 3.8А, 0.038Ом (аналог NR8040T100M)
По запросу
под заказ
10,99₽
LVM202012-2R2M-NT — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*2.0*1.2мм, 2.2мкГн, 20%, 0.095Ом, 2А (аналог NRS2012T2R2MGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.03Ом, 3.3А (аналог NRS5030T2R2NMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 10мкГн, 20%, 0.125Ом, 1.6А (аналог NRS5030T100MMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-150M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 15мкГн, 20%, 3.2А, 0.05Ом (аналог NR8040T150M)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-R10T-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 0.1мкГн, 30%, Q=20, 0.025Ом, 700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS74T-150M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 7.3*7.3*4.5мм, 15мкГн, 20%, 0.081Ом, 1.47А (аналог CDRH74-150M)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS2D18HP-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 3.2*3.2*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.6А (аналог CDRH2D18/HPNP-2R2NC)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.028Ом, 3700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-1R0M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.078Ом, 2200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-2R2M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.168Ом, 1500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.027Ом, 3900мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-1R0M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.065Ом, 2500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-2R2M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.135Ом, 1800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-1R5M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.085Ом, 2.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.12Ом, 1.9А (аналог CDH25D09HF-2R2MC)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.25Ом, 1.2А (аналог CDH25D09HF-4R7MC)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 10мкГн, 20%, 0.65Ом, 0.64А (аналог CDH25D09HF-100MC)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-220M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 22мкГн, 20%, 1.3Ом, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу