Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
CS1008-4R7J-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 4700нГн, 5%, Q=20, 4Ом, 260мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-4R7K-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 4700нГн, 10%, Q=20, 4Ом, 260мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-3R3G-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3300нГн, 2%, Q=22, 3.4Ом, 290мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-3R3J-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3300нГн, 5%, Q=22, 3.4Ом, 290мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-3R3K-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3300нГн, 10%, Q=22, 3.4Ом, 290мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-3R9G-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3900нГн, 2%, Q=20, 3.6Ом, 260мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-3R9J-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3900нГн, 5%, Q=20, 3.6Ом, 260мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-3R9K-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3900нГн, 10%, Q=20, 3.6Ом, 260мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-33NG-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 33нГн, 2%, Q=60, 0.14Ом, 1000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-33NJ-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 33нГн, 5%, Q=60, 0.14Ом, 1000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-33NK-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 33нГн, 10%, Q=60, 0.14Ом, 1000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-39NG-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 39нГн, 2%, Q=60, 0.15Ом, 1000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-39NJ-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 39нГн, 5%, Q=60, 0.15Ом, 1000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-39NK-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 39нГн, 10%, Q=60, 0.15Ом, 1000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-2R2G-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 2200нГн, 2%, Q=28, 2.8Ом, 280мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-2R2J-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 2200нГн, 5%, Q=28, 2.8Ом, 280мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-2R2K-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 2200нГн, 10%, Q=28, 2.8Ом, 280мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-2R7G-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 2700нГн, 2%, Q=22, 3.2Ом, 290мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-2R7J-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 2700нГн, 5%, Q=22, 3.2Ом, 290мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-2R7K-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 2700нГн, 10%, Q=22, 3.2Ом, 290мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-22NG-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 22нГн, 2%, Q=55, 0.12Ом, 1000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-22NJ-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 22нГн, 5%, Q=55, 0.12Ом, 1000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-22NK-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 22нГн, 10%, Q=55, 0.12Ом, 1000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-27NG-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 27нГн, 2%, Q=55, 0.13Ом, 1000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-27NJ-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 27нГн, 5%, Q=55, 0.13Ом, 1000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу |