Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
CL201212T-120L-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 12мкГн, 15%, Q=45, 1.2Ом, 15мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201212T-120M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 12мкГн, 20%, Q=45, 1.2Ом, 15мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201212T-150K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 15мкГн, 10%, Q=30, 0.8Ом, 5мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201212T-150L-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 15мкГн, 15%, Q=30, 0.8Ом, 5мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201212T-150M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 15мкГн, 20%, Q=30, 0.8Ом, 5мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201212T-180K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 18мкГн, 10%, Q=30, 0.9Ом, 5мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201209T-R82L-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.82мкГн, 15% Q=25, 1Ом, 150мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201209T-R82M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.82мкГн, 20% Q=25, 1Ом, 150мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201212T-100K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 10мкГн, 10%, Q=45, 1.1Ом, 15мА (аналог TL201209 100K) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201212T-100L-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 10мкГн, 15%, Q=45, 1.1Ом, 15мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201212T-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 10мкГн, 20%, Q=45, 1.1Ом, 15мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201212T-120K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 12мкГн, 10%, Q=45, 1.2Ом, 15мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201209T-R56L-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.56мкГн, 15% Q=25, 0.75Ом, 150мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201209T-R56M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.56мкГн, 20% Q=25, 0.75Ом, 150мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201209T-R68K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.68мкГн, 10%, Q=25, 0.8Ом, 150мА (аналог LQM21NNR68K10*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201209T-R68L-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.68мкГн, 15% Q=25, 0.8Ом, 150мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201209T-R68M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.68мкГн, 20% Q=25, 0.8Ом, 150мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CL201209T-R82K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.82мкГн, 10%, Q=25, 1Ом, 150мА (аналог LQM21NNR82K10*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
PS1008-6R8M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 3.81*3.81*3.05мм, 6.8мкГн, 20%, 0.58Ом, 0.9А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI160808A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.054Ом, 2600мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI160808A-R33M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.33мкГн, 20%, 0.075Ом, 2200мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI160808A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.1Ом, 1600мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201208A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.025Ом, 4200мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201208A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.048Ом, 3000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPE201210T-2R2M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.125Ом, 0.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу |