Найдено компонентов: 6152
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
LVC606028-220M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.0*6.0*2.8мм, 22мкГн, 20%, 0.135Ом, 1.65А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVC606028-3R3T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.0*6.0*2.8мм, 3.3мкГн, 30%, 0.027Ом, 4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVC606028-100T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.0*6.0*2.8мм, 10мкГн, 30%, 0.065Ом, 2.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVC606028-150T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.0*6.0*2.8мм, 15мкГн, 30%, 0.093Ом, 2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVC606028-220T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.0*6.0*2.8мм, 22мкГн, 30%, 0.135Ом, 1.65А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVC606045-1R0M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.0*6.0.4.5мм, 1мкГн, 20%, 0.01Ом, 7.3А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCB12050-1R5M-C1CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 13.8*12.6*5.0мм, 1.5мкГн, 20%
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCB12050-100M-C1CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 13.8*12.6*5.0мм, 10мкГн, 20%
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
PS1008-6R8M-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.81*3.81*3.05мм, 6.8мкГн, 20%, 0.58Ом, 0.9А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.054Ом, 2600мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R33M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.33мкГн, 20%, 0.075Ом, 2200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.1Ом, 1600мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201208A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.025Ом, 4200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201208A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.048Ом, 3000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201210T-2R2M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.125Ом, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201210T-2R2T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.125Ом, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-R24M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.023Ом, 3.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-R47M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.037Ом, 2.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-R68M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.68мкГн, 20%, 0.065Ом, 2.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-1R0M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.068Ом, 1.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201210T-R24M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.03Ом, 2.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201210T-R24T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.24мкГн, 30%, 0.03Ом, 2.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201210T-R47M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.6А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201210T-R47T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.47мкГн, 30%, 0.06Ом, 1.6А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201210T-1R0M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.1Ом, 1.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу