Найдено компонентов: 6152
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
SCDS2D18HP-2R2M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 3.2*3.2*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.6А (аналог CDRH2D18/HPNP-2R2NC)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.06Ом, 2.2А (аналог NRS5030T4R7MMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-2R0M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 2мкГн, 30%, 7.4А, 0.011Ом (аналог NR8040T2R0*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVM202012-4R7M-NTCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*2.0*1.2мм, 4.7мкГн, 20%, 0.21Ом, 1.3А (аналог NRS2012T4R7MGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 4.7мкГн, 20%, 5.5А, 0.018Ом (аналог NR8040T4R7*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-100M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 10мкГн, 20%, 3.8А, 0.038Ом (аналог NR8040T100M)
По запросу
под заказ
11,88
LVM202012-2R2M-NTCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*2.0*1.2мм, 2.2мкГн, 20%, 0.095Ом, 2А (аналог NRS2012T2R2MGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-2R2M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.03Ом, 3.3А (аналог NRS5030T2R2NMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-100M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 10мкГн, 20%, 0.125Ом, 1.6А (аналог NRS5030T100MMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-150M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 15мкГн, 20%, 3.2А, 0.05Ом (аналог NR8040T150M)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-R10T-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 0.1мкГн, 30%, Q=20, 0.025Ом, 700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
PS1008-6R8M-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.81*3.81*3.05мм, 6.8мкГн, 20%, 0.58Ом, 0.9А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.054Ом, 2600мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R33M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.33мкГн, 20%, 0.075Ом, 2200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.1Ом, 1600мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201208A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.025Ом, 4200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201208A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.048Ом, 3000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI322512A-1R5M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.2*2.5*1.2мм, 1.5мкГн, 20%, 0.059Ом, 2800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI322525A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.2*2.5*2.5мм, 1мкГн, 20%, 0.034Ом, 3500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI322510A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.2*2.5*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.046Ом, 3300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI322510A-1R5M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.2*2.5*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.058Ом, 3200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI322510A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.2*2.5*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.085Ом, 2500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI322512A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.2*2.5*1.2мм, 2.2мкГн, 20%, 0.073Ом, 2700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI322512A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.2*2.5*1.2мм, 0.47мкГн, 20%, 0.025Ом, 4600мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI322512A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.2*2.5*1.2мм, 1мкГн, 20%, 0.034Ом, 3700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу