Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
LVH201B10H-R33M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.33мкГн, 20%, 0.048Ом, 2.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-R33T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.33мкГн, 30%, 0.048Ом, 2.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-R24M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.24мкГн, 20%, 0.048Ом, 2.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-R24T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.24мкГн, 30%, 0.048Ом, 2.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-1R0K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 1мкГн, 10%, Q=25, 1.1Ом, 800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A12-2R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 2.2мкГн, 30%, 0.08Ом, 1.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A12-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 2.2мкГн, 20%, 0.08Ом, 1.8А (аналог LQH2HPN2R2MJ0*/ LQH2HPN2R2MGR*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A12-4R7T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 4.7мкГн, 30%, 0.195Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A12-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 4.7мкГн, 20%, 0.195Ом, 1.1А (аналог LQH2HPN4R7MJ0*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A12-100T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 10мкГн, 30%, 0.4Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A12-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 10мкГн, 20%, 0.4Ом, 0.8А (аналог LQH2HPN100MJ0*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NLV453232T-100K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 4.5*3.2*3.2мм, 10мкГн, 10%, 1.5Ом, 250мА (аналог CM453232-100K) | По запросу | под заказ | 6,56₽ | |
SCDS8D43T-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 8.3*8.3*4.5мм, 4.7мкГн, 20%, 0.022Ом, 5.6А (аналог CDRH8D28NP-4R7NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS8D43T-6R8M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 8.3*8.3*4.5мм, 6.8мкГн, 20%, 0.025Ом, 4.4А (аналог CDRH8D43NP-6R8NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CT0805-33NJ-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 33нГн, 5%, 0.6А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CT0805-39NJ-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 39нГн, 5%, 0.6А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1004T-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*4.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.024Ом, 4А (аналог CDH104N-4R7M) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CLH1005T-8N2S-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0402, 8.2нГн, ±0.3нГн, Q=8, 0.3Ом, 300мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS606045-151M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 6.0*6.0*4.5мм, 150мкГн, 20%, 1Ом, 1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-R22J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 0.22мкГн, 5%, Q=30, 0.5Ом, 840мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-R27J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 0.27мкГн, 5%, Q=30, 0.55Ом, 830мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-R33J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 0.33мкГн, 5%, Q=30, 0.6Ом, 820мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-R33K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 0.33мкГн, 10%, Q=30, 0.6Ом, 820мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-R39J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 0.39мкГн, 5%, Q=30, 0.65Ом, 810мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-R47J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 0.47мкГн, 5%, Q=30, 0.68Ом, 800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу |