Найдено компонентов: 6152
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
CS0805-R82G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 820нГн, 2%, Q=23, 2.35Ом, 180мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R82K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 820нГн, 10%, Q=23, 2.35Ом, 180мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS1008-100G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 10000нГн, 2%, Q=18, 8Ом, 150мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS1008-100J-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 10000нГн, 5%, Q=18, 8Ом, 150мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R56J-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 560нГн, 5%, Q=23, 1.9Ом, 230мА (аналог LQW2BASR56J00*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R56K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 560нГн, 10%, Q=23, 1.9Ом, 230мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R62G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 620нГн, 2%, Q=23, 2.2Ом, 210мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R62J-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 620нГн, 5%, Q=23, 2.2Ом, 210мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R62K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 620нГн, 10%, Q=23, 2.2Ом, 210мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R68G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 680нГн, 2%, Q=23, 2.2Ом, 190мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R39G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 390нГн, 2%, Q=48, 1.5Ом, 290мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R39J-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 390нГн, 5%, Q=48, 1.5Ом, 290мА (аналог LQW2BASR39J00*)
По запросу
под заказ
4,47
CS0805-R39K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 390нГн, 10%, Q=48, 1.5Ом, 290мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R47G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 470нГн, 2%, Q=33, 1.76Ом, 250мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R47K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 470нГн, 10%, Q=33, 1.76Ом, 250мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R56G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 560нГн, 2%, Q=23, 1.9Ом, 230мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R25J-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 250нГн, 5%, Q=45, 1.2Ом, 350мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R25K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 250нГн, 10%, Q=45, 1.2Ом, 350мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R27G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 270нГн, 2%, Q=48, 1Ом, 350мА (аналог LQW2BASR27G00*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R27K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 270нГн, 10%, Q=48, 1Ом, 350мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R33G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 330нГн, 2%, Q=48, 1.4Ом, 310мА (аналог LQW2BASR33G00*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R33K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 330нГн, 10%, Q=48, 1.4Ом, 310мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R22J-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 220нГн, 5%, Q=50, 0.7Ом, 400мА (аналог LQW2BASR22J00*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R22K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 220нГн, 10%, Q=50, 0.7Ом, 400мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CS0805-R24G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 240нГн, 2%, Q=44, 1Ом, 350мА (аналог LQW2BASR24G00*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу