Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
CS1008-R18J-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 180нГн, 5%, Q=45, 0.77Ом, 620мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-R18K-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 180нГн, 10%, Q=45, 0.77Ом, 620мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-R22G-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 220нГн, 2%, Q=45, 0.84Ом, 500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-220T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 22мкГн, 30%, 1.7Ом, 0.38А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 2.2мкГн, 20%, 0.19Ом, 1.3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-150T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 15мкГн, 30%, 1.5Ом, 0.39А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-1R0M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1мкГн, 20%, 0.095Ом, 1.86А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-1R0T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1мкГн, 30%, 0.095Ом, 1.86А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-1R5M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1.5мкГн, 20%, 0.14Ом, 1.64А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-1R5T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1.5мкГн, 30%, 0.14Ом, 1.64А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-220M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 22мкГн, 20%, 1.7Ом, 0.38А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-6R8K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 6.8мкГн, 10%, Q=33, 1.6Ом, 600мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-8R2J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 8.2мкГн, 5%, Q=40, 1.8Ом, 550мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-8R2K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 8.2мкГн, 10%, Q=40, 1.8Ом, 550мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 10мкГн, 20%, 1Ом, 0.54А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-100T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 10мкГн, 30%, 1Ом, 0.54А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-150M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 15мкГн, 20%, 1.5Ом, 0.39А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-3R9K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3.9мкГн, 10%, Q=37, 1.25Ом, 850мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-4R7J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 4.7мкГн, 5%, Q=37, 1.35Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-4R7K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 4.7мкГн, 10%, Q=37, 1.35Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-5R6J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 5.6мкГн, 5%, Q=36, 1.45Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-5R6K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 5.6мкГн, 10%, Q=36, 1.45Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-6R8J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 6.8мкГн, 5%, Q=33, 1.6Ом, 600мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-2R7K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 2.7мкГн, 10%, Q=51, 1Ом, 950мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-390J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 39мкГн, 5%, Q=33, 10Ом, 170мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу |