Найдено компонентов: 6152
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
SQV322520T-1R5M-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1.5мкГн, 20%, Q=20, 0.6Ом, 400мА
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-150K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 15мкГн, 10%, Q=35, 2.2Ом, 170мА (аналог LQH32MN150J21*/ LQH32MN150K21*)
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-150M-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 15мкГн, 20%, Q=35, 2.2Ом, 170мА
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-151K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 150мкГн, 10%, Q=40, 9.3Ом, 70мА (аналог LQH32MN151J21*/ LQH32MN151K21*)
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-151M-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 150мкГн, 20%, Q=40, 9.3Ом, 70мА
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-180K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 18мкГн, 10%, Q=35, 2.5Ом, 165мА (аналог LQH32MN180J21*/ LQH32MN180K21*)
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-180M-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 18мкГн, 20%, Q=35, 2.5Ом, 165мА
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-120K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 12мкГн, 10%, Q=35, 2Ом, 180мА (аналог LQH32MN120J21*/ LQH32MN120K21*)
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-120M-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 12мкГн, 20%, Q=35, 2Ом, 180мА
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-121K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 120мкГн, 10%, Q=40, 8Ом, 75мА (аналог LQH32MN121J23*/ LQH32MN121K21*)
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-121M-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 120мкГн, 20%, Q=40, 8Ом, 75мА
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-100K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 10мкГн, 10%, Q=35, 1.8Ом, 190мА (аналог LQH32MN100J21*/ LQH32MN100K21*)
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SQV322520T-100M-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 10мкГн, 20%, Q=35, 1.8Ом, 190мА
Доступны аналоги (1)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS74T-150M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 7.3*7.3*4.5мм, 15мкГн, 20%, 0.081Ом, 1.47А (аналог CDRH74-150M)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.06Ом, 2.2А (аналог NRS5030T4R7MMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-2R0M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 2мкГн, 30%, 7.4А, 0.011Ом (аналог NR8040T2R0*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVM202012-4R7M-NTCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*2.0*1.2мм, 4.7мкГн, 20%, 0.21Ом, 1.3А (аналог NRS2012T4R7MGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 4.7мкГн, 20%, 5.5А, 0.018Ом (аналог NR8040T4R7*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-100M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 10мкГн, 20%, 3.8А, 0.038Ом (аналог NR8040T100M)
По запросу
под заказ
11,39
LVM202012-2R2M-NTCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*2.0*1.2мм, 2.2мкГн, 20%, 0.095Ом, 2А (аналог NRS2012T2R2MGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-2R2M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.03Ом, 3.3А (аналог NRS5030T2R2NMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-100M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 10мкГн, 20%, 0.125Ом, 1.6А (аналог NRS5030T100MMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-150M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 15мкГн, 20%, 3.2А, 0.05Ом (аналог NR8040T150M)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CLH1608T-3N3S-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 3.3нГн, ±0.3нГн, 0.6А, Q=10, 0.12Ом (аналог ELJ-RE3N3D*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CLH1608T-6N8J-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 6.8нГн, 5%, 0.6А, Q=10, 0.22Ом (аналог ELJ-RE6N8J*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу