Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
CS0805-R27K-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 270нГн, 10%, Q=48, 1Ом, 350мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS0805-R33G-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 330нГн, 2%, Q=48, 1.4Ом, 310мА (аналог LQW2BASR33G00*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS0805-R33J-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 330нГн, 5%, Q=48, 1.4Ом, 310мА (аналог LQW2BASR33J00*) | По запросу | под заказ | 4,85₽ | |
CS0805-R33K-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 330нГн, 10%, Q=48, 1.4Ом, 310мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS0805-R39G-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 390нГн, 2%, Q=48, 1.5Ом, 290мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS0805-R39K-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 390нГн, 10%, Q=48, 1.5Ом, 290мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS404018-3R3M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.0*4.0*1.8мм, 3.3мкГн, 20%, 0.07Ом, 2.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MHCB12050-R47M-C1 — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 13.8*12.6*5.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.0013Ом, 38А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.028Ом, 3700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-1R0M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.078Ом, 2200мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-2R2M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.168Ом, 1500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.027Ом, 3900мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-1R0M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.065Ом, 2500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-2R2M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.135Ом, 1800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPA201210T-1R0M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 20%, 0.18Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPA201210T-1R0T-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 30%, 0.18Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPA201210T-1R5M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1.5мкГн, 20%, 0.19Ом, 1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPA201210T-1R5T-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1.5мкГн, 30%, 0.19Ом, 1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPA201210T-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 2.2мкГн, 20%, 0.22Ом, 0.9А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPA201210T-2R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 2.2мкГн, 30%, 0.22Ом, 0.9А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVF404026-6R8T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.0*4.0*2.6мм, 6.8мкГн, 30%, 0.13Ом, 1.7А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVF404026-100T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.0*4.0*2.6мм, 10мкГн, 30%, 0.188Ом, 1.4А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVF404026-150T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.0*4.0*2.6мм, 15мкГн, 30%, 0.24Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу |