Найдено компонентов: 6152
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
MPE252010T-R24T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.24мкГн, 30%, 0.024Ом, 4.1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE252010T-R47T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.47мкГн, 30%, 0.04Ом, 3А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE252010T-1R0T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1мкГн, 30%, 0.05Ом, 1.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE252010T-2R2T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.11Ом, 1.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-R68T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.68мкГн, 30%, 0.065Ом, 2.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-1R0T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 30%, 0.068Ом, 1.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-1R5T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1.5мкГн, 30%, 0.1Ом, 1.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-2R2T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.21Ом, 1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE252010T-R24M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.024Ом, 4.1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE252010T-R47M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.04Ом, 3А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-R68M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.68мкГн, 20%, 0.065Ом, 2.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-1R0M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.068Ом, 1.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-1R5M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.1Ом, 1.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-2R2M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.21Ом, 1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-R24T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 30%, 0.023Ом, 3.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-R47T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 30%, 0.037Ом, 2.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201210T-1R0M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.1Ом, 1.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201210T-1R0T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1мкГн, 30%, 0.1Ом, 1.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201210T-2R2M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.125Ом, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201210T-2R2T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.125Ом, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-R24M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.023Ом, 3.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-R47M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.037Ом, 2.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252010T-4R7M-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.11Ом, 0.3А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252010T-4R7T-NA6CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 4.7мкГн, 30%, 0.11Ом, 0.3А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201210T-R24M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.03Ом, 2.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу