Найдено компонентов: 6152
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
SCDS4D28T-2R2M-S-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 4.7*4.7*3.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.0313Ом, 2.04А (аналог MSS5131-222ML)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS4D28T-2R2T-S-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 4.7*4.7*3.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.0313Ом, 2.04А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS4D28T-2R7T-S-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 4.7*4.7*3.0мм, 2.7мкГн, 30%, 0.0433Ом, 1.6А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS4D28T-180T-S-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 4.7*4.7*3.0мм, 18мкГн, 30%, 0.166Ом, 0.72А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS4D28T-181T-S-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 4.7*4.7*3.0мм, 180мкГн, 30%, 1.54Ом, 0.22А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS4D28T-1R2T-S-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 4.7*4.7*3.0мм, 1.2мкГн, 30%, 0.0236Ом, 2.56А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS4D28T-1R8T-S-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 4.7*4.7*3.0мм, 1.8мкГн, 30%, 0.0275Ом, 2.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS4D28T-220M-S-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 4.7*4.7*3.0мм, 22мкГн, 20%, 0.235Ом, 0.7А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS4D28T-220T-S-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 4.7*4.7*3.0мм, 22мкГн, 30%, 0.235Ом, 0.7А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
TFL0603T-2N9C-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0201, 2.9нГн, ±0.2нГн, Q=12, 0.25Ом, 220мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
TFL0603T-3N0B-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0201, 3нГн, ±0.1нГн, Q=12, 0.3Ом, 220мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
TFL0603T-3N0C-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0201, 3нГн, ±0.2нГн, Q=12, 0.3Ом, 220мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
TFL0603T-3N1B-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0201, 3.1нГн, ±0.1нГн, Q=12, 0.3Ом, 190мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
TFL0603T-3N1C-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0201, 3.1нГн, ±0.2нГн, Q=12, 0.3Ом, 190мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
TFL0603T-3N2B-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0201, 3.2нГн, ±0.1нГн, Q=12, 0.3Ом, 190мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252012T-6R8T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 6.8мкГн, 30%, 0.16Ом, 0.9А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252012T-2R2T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 2.2мкГн, 30%, 0.1Ом, 1.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252012T-3R3M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 3.3мкГн, 20%, 0.12Ом, 1.1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252012T-3R3T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 3.3мкГн, 30%, 0.12Ом, 1.1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252012T-4R7M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 4.7мкГн, 20%, 0.14Ом, 1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252012T-4R7T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 4.7мкГн, 30%, 0.14Ом, 1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252012T-6R8M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 6.8мкГн, 20%, 0.16Ом, 0.9А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252012T-1R5T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 1.5мкГн, 30%, 0.07Ом, 1.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252012T-100M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 10мкГн, 20%, 0.2Ом, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPB252012T-100T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 10мкГн, 30%, 0.2Ом, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу