Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
MPB201610T-3R3T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 3.3мкГн, 30%, 0.17Ом, 0.85А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-4R7M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.21Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-4R7M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 4.7мкГн, 20%, 0.26Ом, 0.7А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-4R7T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 4.7мкГн, 30%, 0.26Ом, 0.7А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-R47M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.6А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-R47T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 30%, 0.06Ом, 1.6А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-1R5M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.11Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201610T-1R5T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1.5мкГн, 30%, 0.11Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-1R0M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 20%, 0.12Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-1R0T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 30%, 0.12Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-2R2M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 2.2мкГн, 20%, 0.19Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-2R2T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 2.2мкГн, 30%, 0.19Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-3R3M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 3.3мкГн, 20%, 0.24Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-3R3T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 3.3мкГн, 30%, 0.24Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201205T-1R0M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 20%, 0.16Ом, 0.9А (аналог LQM21PN1R0MC0*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201205T-1R0T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 30%, 0.16Ом, 0.9А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-R47M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.47мкГн, 20%, 0.09Ом, 1.3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-R47T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.47мкГн, 30%, 0.09Ом, 1.3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-1R5M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1.5мкГн, 20%, 0.15Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201210T-1R5T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1.5мкГн, 30%, 0.15Ом, 1.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201205T-R47M-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 0.47мкГн, 20%, 0.11Ом, 1.2А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MPB201205T-1R5T-NA2 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0805, 1.5мкГн, 30%, 0.18Ом, 0.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
TFL0603T-8N2J-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0201, 8.2нГн, 5%, Q=12, 1.2Ом, 110мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
TFL0603T-9N1H-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0201, 9.1нГн, 3%, Q=12, 1.2Ом, 100мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
TFL0603T-9N1J-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0201, 9.1нГн, 5%, Q=12, 1.2Ом, 100мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу |