Найдено компонентов: 6393
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
LT1210-1R5J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1.5мкГн, 5%, Q=20, 0.68Ом, 1200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-1R8J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1.8мкГн, 5%, Q=20, 0.72Ом, 1150мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-5R6K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 5.6мкГн, 10%, Q=20, 1.65Ом, 820мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-6R8K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 6.8мкГн, 10%, Q=20, 1.68Ом, 750мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-8R2K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 8.2мкГн, 10%, Q=16, 1.88Ом, 700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-100K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 10мкГн, 10%, Q=16, 2.9Ом, 610мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-120K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 12мкГн, 10%, Q=16, 3.05Ом, 540мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-150K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 15мкГн, 10%, Q=16, 3.45Ом, 500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-1R8K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1.8мкГн, 10%, Q=20, 0.72Ом, 1150мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-2R2K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 2.2мкГн, 10%, Q=20, 1.02Ом, 1020мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-2R7K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 2.7мкГн, 10%, Q=20, 1.15Ом, 1000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-3R3K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 3.3мкГн, 10%, Q=20, 1.2Ом, 970мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-3R9K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 3.9мкГн, 10%, Q=20, 1.35Ом, 910мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-4R7K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 4.7мкГн, 10%, Q=20, 1.48Ом, 880мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT0805-270J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 27мкГн,5%, Q=10, 10Ом, 230мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT0805-330J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 33мкГн,5%, Q=10, 13.5Ом, 200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT0805-390J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 39мкГн,5%, Q=10, 16Ом, 190мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-1R0K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1мкГн, 10%, Q=20, 0.45Ом, 1500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-1R2K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1.2мкГн, 10%, Q=20, 0.49Ом, 1300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LT1210-1R5K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1.5мкГн, 10%, Q=20, 0.68Ом, 1200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS74T-150M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 7.3*7.3*4.5мм, 15мкГн, 20%, 0.081Ом, 1.47А (аналог CDRH74-150M)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS2D18HP-2R2M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 3.2*3.2*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.6А (аналог CDRH2D18/HPNP-2R2NC)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVF505020-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.06Ом, 2.2А (аналог NRS5030T4R7MMGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS808040-2R0M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 2мкГн, 30%, 7.4А, 0.011Ом (аналог NR8040T2R0*)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVM202012-4R7M-NTCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*2.0*1.2мм, 4.7мкГн, 20%, 0.21Ом, 1.3А (аналог NRS2012T4R7MGJ)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу