Найдено компонентов: 6393
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
LCN0805T-39NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 39нГн, 5%, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-43NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 43нГн, 5%, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-47NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 47нГн, 5%, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-56NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 56нГн, 5%, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-68NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 68нГн, 5%, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-82NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 82нГн, 5%, 0.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-91NJ-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 91нГн, 5%, 0.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LCN0805T-R10J-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 100нГн, 5%, 0.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS127T-221M-N-N0.95ACHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность (двухобмоточная) 12.5*12.5*8.0мм, 220мкГн, 20%, 0.95А (аналог 49221C)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS8D43T-330M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.3*8.3*4.5мм, 33мкГн, 20%, 0.08Ом, 2.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCD0705T-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 7.8*7.0*5.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.04Ом, 3.5А (аналог SDR0805-4R7M)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCD1005T-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.0*9.0*5.4мм, 4.7мкГн, 20%, 0,04Ом, 2.6А (аналог SDR1006-4R7ML)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS606045-151M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.0*6.0*4.5мм, 150мкГн, 20%, 1Ом, 1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCD1004T-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.0*9.0*4.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.024Ом, 4А (аналог CDH104N-4R7M)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CLH1005T-8N2S-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0402, 8.2нГн, ±0.3нГн, Q=8, 0.3Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLC322522T-R47K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 0.47мкГн, 10%, Q=40, 0.07Ом, 1800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLC322522T-1R2J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1.2мкГн, 5%, Q=20, 0.12Ом, 1400мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLC322522T-1R2K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1.2мкГн, 10%, Q=20, 0.12Ом, 1400мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLC322522T-1R5J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1.5мкГн, 5%, Q=20, 0.13Ом, 1125мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLC322522T-1R5K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1.5мкГн, 10%, Q=20, 0.13Ом, 1125мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLC322522T-1R8J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1.8мкГн, 5%, Q=20, 0.13Ом, 970мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLC322522T-1R8K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 1.8мкГн, 10%, Q=20, 0.13Ом, 970мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLC322522T-101J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 100мкГн, 5%, Q=15, 3.7Ом, 145мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLC322522T-101K-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 100мкГн, 10%, Q=15, 3.7Ом, 145мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
NLC322522T-100J-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 10мкГн, 5%, Q=15, 0.36Ом, 520мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу