Найдено компонентов: 6393
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
HC0603-6N8K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 6.8нГн, 10%, Q=35, 0.054Ом, 2100мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HC0603-7N5K-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 7.5нГн, 10%, Q=35, 0.059Ом, 2100мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HQ1008-R12G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 120нГн, 2%, Q=50, 0.2Ом, 1000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HQ1008-R15G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 150нГн, 2%, Q=48, 0.23Ом, 1000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HQ1008-R22G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 220нГн, 2%, Q=48, 0.45Ом, 1000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HQ1008-R27G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 270нГн, 2%, Q=48, 0.5Ом, 900мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HQ1008-R33G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 330нГн, 2%, Q=48, 0.65Ом, 900мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HQ1008-R39G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 390нГн, 2%, Q=48, 0.7Ом, 900мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HQ1008-33NG-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 33нГн, 2%, Q=75, 0.09Ом, 1300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HQ1008-47NG-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 47нГн, 2%, Q=75, 0.12Ом, 1200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HQ1008-56NG-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 56нГн, 2%, Q=75, 0.12Ом, 1200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HQ1008-68NG-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 68нГн, 2%, Q=80, 0.13Ом, 1100мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HQ1008-82NG-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 82нГн, 2%, Q=80, 0.16Ом, 1100мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HQ1008-R10G-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 100нГн, 2%, Q=62, 0.16Ом, 1000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.028Ом, 3700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.078Ом, 2200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.168Ом, 1500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.027Ом, 3900мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.065Ом, 2500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.135Ом, 1800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
PS1008-6R8M-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.81*3.81*3.05мм, 6.8мкГн, 20%, 0.58Ом, 0.9А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.054Ом, 2600мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R33M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.33мкГн, 20%, 0.075Ом, 2200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу