Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
LVH252A10H-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 4.7мкГн, 20%, 0.33Ом, 0.85А (аналог LQH2HPN4R7MG0*/ LQH2HPN4R7MGR*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A10H-R24T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 0.24мкГн, 30%, 0.03Ом, 3.6А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A10H-R24M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 0.24мкГн, 20%, 0.03Ом, 3.6А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A10H-R47T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 0.47мкГн, 30%, 0.043Ом, 2.7А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A10H-R47M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 0.47мкГн, 20%, 0.043Ом, 2.7А (аналог LQH2HPNR47MGR*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A10H-R68T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 0.68мкГн, 30%, 0.062Ом, 2.3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH252A10H-R68M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.02мм, 0.68мкГн, 20%, 0.062Ом, 2.3А (аналог LQH2HPNR68MGR*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-R68T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.68мкГн, 30%, 0.092Ом, 1.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-R68M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.68мкГн, 20%, 0.092Ом, 1.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-1R0T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1мкГн, 30%, 0.11Ом, 1.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-1R0M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1мкГн, 20%, 0.11Ом, 1.5А (аналог LQH2MCN1R0M02*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-2R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 2.2мкГн, 30%, 0.205Ом, 1.15А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 2.2мкГн, 20%, 0.205Ом, 1.15А (аналог LQH2MCN2R2M02*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-R33T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.33мкГн, 30%, 0.048Ом, 2.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-R33M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.33мкГн, 20%, 0.048Ом, 2.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-R47T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.47мкГн, 30%, 0.072Ом, 2.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-R47M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.47мкГн, 20%, 0.072Ом, 2.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-R56T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.56мкГн, 30%, 0.072Ом, 2.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-R56M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.56мкГн, 20%, 0.072Ом, 2.1А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NL252018T-1R0K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 1мкГн, 10%, Q=25, 1.1Ом, 800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-R24T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.24мкГн, 30%, 0.048Ом, 2.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVH201B10H-R24M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.24мкГн, 20%, 0.048Ом, 2.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1005T-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*5.4мм, 4.7мкГн, 20%, 0,04Ом, 2.6А (аналог SDR1006-4R7ML) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCD1004T-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 10.0*9.0*4.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.024Ом, 4А (аналог CDH104N-4R7M) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CLH1005T-8N2S-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0402, 8.2нГн, ±0.3нГн, Q=8, 0.3Ом, 300мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу |