Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
MHCB06030-1R5M-C1 — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 6.6*7.3*3.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.015Ом, 9А (аналог IHLP2525CZER1R5M01) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-R22K-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 220нГн, 10%, Q=45, 0.84Ом, 500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-R27G-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 270нГн, 2%, Q=45, 0.91Ом, 500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-R27J-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 270нГн, 5%, Q=45, 0.91Ом, 500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-R27K-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 270нГн, 10%, Q=45, 0.91Ом, 500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-R33G-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 330нГн, 2%, Q=45, 1.05Ом, 450мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CS1008-R33K-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 330нГн, 10%, Q=45, 1.05Ом, 450мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-6R8M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 6.8мкГн, 20%, 0.64Ом, 0.66А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-6R8T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 6.8мкГн, 30%, 0.64Ом, 0.66А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 2.2мкГн, 20%, 0.19Ом, 1.3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-2R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 2.2мкГн, 30%, 0.19Ом, 1.3А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-3R3M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 3.3мкГн, 20%, 0.295Ом, 0.96А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-3R3T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 3.3мкГн, 30%, 0.295Ом, 0.96А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 4.7мкГн, 20%, 0.36Ом, 0.84А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-4R7T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 4.7мкГн, 30%, 0.36Ом, 0.84А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-1R0M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1мкГн, 20%, 0.095Ом, 1.86А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-1R0T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1мкГн, 30%, 0.095Ом, 1.86А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-1R5M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1.5мкГн, 20%, 0.14Ом, 1.64А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-1R5T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1.5мкГн, 30%, 0.14Ом, 1.64А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-220M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 22мкГн, 20%, 1.7Ом, 0.38А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-220T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 22мкГн, 30%, 1.7Ом, 0.38А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-8R2J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 8.2мкГн, 5%, Q=40, 1.8Ом, 550мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-8R2K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 8.2мкГн, 10%, Q=40, 1.8Ом, 550мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 10мкГн, 20%, 1Ом, 0.54А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-100T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 10мкГн, 30%, 1Ом, 0.54А | По запросу | под заказ | Цена по запросу |