Найдено компонентов: 6393
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
MHCI05020-R47M-R8CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.4*5.7*1.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.009Ом, 10.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCI05030-R47M-R8CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.4*5.7*3.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.008Ом, 10А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCI05030-6R8M-R8CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 5.4*5.7*3.0мм, 6.8мкГн, 20%, 0.11Ом, 3А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCI06015-1R0M-R8ACHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.6*7.3*1.3мм, 1мкГн, 20%, 0.021Ом, 5.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCI06015-3R3M-R8ACHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.6*7.3*1.3мм, 3.3мкГн, 20%, 0.063Ом, 3.3А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCI06015-100M-R8ACHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.6*7.3*1.3мм, 10мкГн, 20%, 0.175Ом, 2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCD1004T-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 10.0*9.0*4.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.024Ом, 4А (аналог CDH104N-4R7M)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CLH1005T-8N2S-SCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0402, 8.2нГн, ±0.3нГн, Q=8, 0.3Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
LVS606045-151M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.0*6.0*4.5мм, 150мкГн, 20%, 1Ом, 1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.028Ом, 3700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.078Ом, 2200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.168Ом, 1500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.027Ом, 3900мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.065Ом, 2500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.135Ом, 1800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CLH1005T-8N2J-SMCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0402, 8.2нГн, 5%, Q=8, 0.3Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CLH1005T-9N1J-SMCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0402, 9.1нГн, 5%, Q=8, 0.35Ом, 300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CLH1005T-3N9S-SMCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0402, 3.9нГн, ±0.3нГн, Q=8, 0.2Ом, 400мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CLH1005T-2N7S-SMCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0402, 2.7нГн, ±0.3нГн, Q=8, 0.15Ом, 400мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCB12050-1R5M-C1CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 13.8*12.6*5.0мм, 1.5мкГн, 20%
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCB12050-100M-C1CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 13.8*12.6*5.0мм, 10мкГн, 20%
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPA201210T-1R0M-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 20%, 0.18Ом, 1.1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPA201210T-1R0T-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 30%, 0.18Ом, 1.1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу