Найдено компонентов: 6393
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
HEI201210A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.078Ом, 2200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.168Ом, 1500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.027Ом, 3900мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.065Ом, 2500мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.135Ом, 1800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-1R5M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.085Ом, 2.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-2R2M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.12Ом, 1.9А (аналог CDH25D09HF-2R2MC)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-4R7M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.25Ом, 1.2А (аналог CDH25D09HF-4R7MC)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-100M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 10мкГн, 20%, 0.65Ом, 0.64А (аналог CDH25D09HF-100MC)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-220M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 22мкГн, 20%, 1.3Ом, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-1R5T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1.5мкГн, 30%, 0.085Ом, 2.2А (аналог CDH25D09HF-1R5NC)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-2R2T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.12Ом, 1.9А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-4R7T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 4.7мкГн, 30%, 0.25Ом, 1.2А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-100T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 10мкГн, 30%, 0.65Ом, 0.64А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MRSC252A10-220T-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 22мкГн, 30%, 1.3Ом, 0.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
PS1008-6R8M-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.81*3.81*3.05мм, 6.8мкГн, 20%, 0.58Ом, 0.9А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.054Ом, 2600мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R33M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.33мкГн, 20%, 0.075Ом, 2200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.1Ом, 1600мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201208A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.025Ом, 4200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201208A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.048Ом, 3000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252010A-1R5M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.075Ом, 2400мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI252010A-2R2M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.097Ом, 2200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу