Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
CLH1005T-3N3S-H — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0402, 3.3нГн, ±0.3нГн, Q=8, 0.15Ом, 400мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CLH1005T-3N9K-H — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0402, 3.9нГн, 10%, Q=8, 0.2Ом, 400мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CLH1005T-3N9S-H — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0402, 3.9нГн, ±0.3нГн, Q=8, 0.2Ом, 400мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CLH1005T-43NJ-H — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0402, 43нГн, 5%, Q=8, 1.1Ом, 150мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CLH1005T-43NK-H — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0402, 43нГн, 10%, Q=8, 1.1Ом, 150мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.028Ом, 3700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3000мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-1R0M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.078Ом, 2200мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201210A-2R2M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.168Ом, 1500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-R24M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.027Ом, 3900мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-R47M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.042Ом, 3500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-1R0M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.065Ом, 2500мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
HEI201610A-2R2M-Q8 — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.135Ом, 1800мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
SCDS2D18HP-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 3.2*3.2*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.6А (аналог CDRH2D18/HPNP-2R2NC) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVF505020-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.06Ом, 2.2А (аналог NRS5030T4R7MMGJ) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS808040-2R0M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 2мкГн, 30%, 7.4А, 0.011Ом (аналог NR8040T2R0*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVM202012-4R7M-NT — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*2.0*1.2мм, 4.7мкГн, 20%, 0.21Ом, 1.3А (аналог NRS2012T4R7MGJ) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS808040-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 4.7мкГн, 20%, 5.5А, 0.018Ом (аналог NR8040T4R7*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS808040-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 10мкГн, 20%, 3.8А, 0.038Ом (аналог NR8040T100M) | По запросу | под заказ | 11,80₽ | |
LVM202012-2R2M-NT — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*2.0*1.2мм, 2.2мкГн, 20%, 0.095Ом, 2А (аналог NRS2012T2R2MGJ) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVF505020-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.03Ом, 3.3А (аналог NRS5030T2R2NMGJ) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVF505020-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 5.0*5.0*2.0мм, 10мкГн, 20%, 0.125Ом, 1.6А (аналог NRS5030T100MMGJ) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS808040-150M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 15мкГн, 20%, 3.2А, 0.05Ом (аналог NR8040T150M) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CLH1608T-3N3S-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0603, 3.3нГн, ±0.3нГн, 0.6А, Q=10, 0.12Ом (аналог ELJ-RE3N3D*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
CLH1608T-6N8J-S — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 0603, 6.8нГн, 5%, 0.6А, Q=10, 0.22Ом (аналог ELJ-RE6N8J*) | По запросу | под заказ | Цена по запросу |