Найдено компонентов: 6393
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
CLH1005T-3N9S-SMCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0402, 3.9нГн, ±0.3нГн, Q=8, 0.2Ом, 400мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
CLH1005T-2N7S-SMCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0402, 2.7нГн, ±0.3нГн, Q=8, 0.15Ом, 400мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCB12050-100M-C1CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 13.8*12.6*5.0мм, 10мкГн, 20%
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MHCB12050-1R5M-C1CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 13.8*12.6*5.0мм, 1.5мкГн, 20%
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
SCDS2D18HP-2R2M-NCHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 3.2*3.2*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.6А (аналог CDRH2D18/HPNP-2R2NC)
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
PS1008-6R8M-NCHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 3.81*3.81*3.05мм, 6.8мкГн, 20%, 0.58Ом, 0.9А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.054Ом, 2600мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R33M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.33мкГн, 20%, 0.075Ом, 2200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI160808A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1.6*0.8*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.1Ом, 1600мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201208A-R24M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.24мкГн, 20%, 0.025Ом, 4200мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201208A-R47M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*0.8мм, 0.47мкГн, 20%, 0.048Ом, 3000мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-R33M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 0.33мкГн, 20%, 0.03Ом, 3700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201210A-1R5M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.25*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.112Ом, 1800мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201608A-1R0M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*0.8мм, 1мкГн, 20%, 0.087Ом, 2300мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201608A-1R5M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*0.8мм, 1.5мкГн, 20%, 0.115Ом, 2100мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
HEI201610A-R33M-Q8CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.33мкГн, 20%, 0.023Ом, 4700мА
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE252010T-2R2M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.11Ом, 1.4А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE252010T-R24T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.24мкГн, 30%, 0.024Ом, 4.1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-1R0T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 30%, 0.068Ом, 1.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-1R5T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1.5мкГн, 30%, 0.1Ом, 1.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-2R2T-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.21Ом, 1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE252010T-R24M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.024Ом, 4.1А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE252010T-R47M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.04Ом, 3А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE252010T-1R0M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.05Ом, 1.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
MPE201610T-1R0M-NA2CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.068Ом, 1.5А
По запросу
под заказ
Цена
по запросу