Найдено компонентов: 27
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
NP50P04SDG-E1-AYRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-40 В, ID=-50 А, Qg=100 нКл, PD=84 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0096 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу
2SJ598-Z-E1-AZRENESAS TECHNOLOGY
MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж
По запросу
под заказ
Цена
по запросу