Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
TPH1110FNH,L1Q(M — TOSHIBA SOP-8-ADV MOSFET SOP-8 SINGLE | По запросу | под заказ | 53,44₽ | |
TK35N65W,S1F(S — TOSHIBA 4TO247 PWR-MOSFET N-CHANNEL | По запросу | под заказ | 334,95₽ | |
TK42A12N1,S4X(S — TOSHIBA TO-220SIS(OS) PWR-MOSFET N-CHANNEL | По запросу | под заказ | 52,50₽ | |
TK25A20D,S5X(M — TOSHIBA TO-220SIS PWR-MOSFET N-CHANNEL | По запросу | под заказ | 71,83₽ | |
TK14E65W,S1X(S — TOSHIBA TO-220AB(OS) PWR-MOSFET N-CHANNEL | По запросу | под заказ | 103,92₽ | |
TK14G65W,RQ(S — TOSHIBA TO-220FL(OS) PWR-MOSFET N-CHANNEL | По запросу | под заказ | 124,71₽ | |
TPN4R303NL,L1Q(M — TOSHIBA TSON-ADV(OS) MOSFET TSON-ADV SINGLE | По запросу | под заказ | 21,62₽ | |
TK7A65D(STA4,Q,M) — TOSHIBA TO-220SIS PWR-MOSFET N-CHANNEL | По запросу | под заказ | 54,38₽ | |
2N2907A — DIOTEC SEMICONDUCTOR PNP транзистор, TO-18, 0.5Вт, 60В, 600мА, -65…+200°С | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2N7000 — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный FET транзистор (полевой), TO-92, 0.35Вт, 60В, 200мА, Rds <56 Ом, -55…+150°С | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MMFTN138 — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный FET транзистор (полевой), SOT-23 (TO-236), 0.36Вт, 50В, 880мА, Rds <3.5 Ом, -55…+150°С | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MMFTN170 — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный FET транзистор (полевой), SOT-23 (TO-236), 0.3Вт, 60В, 800мА, Rds <5 Ом, -55…+150°С | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MMFTN20 — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный FET транзистор (полевой), SOT-23 (TO-236), 0.3Вт, 50В, 300мА, Rds <30 Ом, -55…+150°С (аналог BSS123) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MMFTN3018W — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный FET транзистор (полевой), SOT-23 (TO-236), 0.2Вт, 60В, 400мА, Rds <130 Ом, -55…+150°С
| По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP50P04SDG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-40 В, ID=-50 А, Qg=100 нКл, PD=84 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0096 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
RJK60S8DPK-M0 — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=600 В, ID=55 А, Qg=82 нКл, PD=416 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,056 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP100P06PLG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET, Pch-канальный, Single, VDSS=-60В, ID(DC)=-100А, RDS(ON)max=0.0061Ом@VGS=10V 0.0081Ом@VGS=4.5V , MP-25ZP/TO-263ZP | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1918TE-T1-A — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-3,5 А, Qg=12 нКл, PD=0,2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,143 , 6pin- SC-95 Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
BSS84PL6327 — INFINEON TECHNOLOGIES Электронный компонент | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
RJK60S3DPP-E0#T2 — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=600 В, ID=12 А, Qg=13,6 нКл, PD=27,7 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,44 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
RJK60S4DPP-E0#T2 — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=600 В, ID=16 А, Qg=13,6 нКл, PD=29,9 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,29 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
TK8A65D(STA4,Q,M) — TOSHIBA MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=, В, ID=8 А, Qg=25 нКл, PD=45 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,84 , 3pin-TO-220SIS монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MMFTN123 — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный FET транзистор (полевой), SOT-23 (TO-236), 0.36Вт, 100В, 170мА, Rds < 6 Ом, -55…+150°С (аналог BSS123) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SJ598-Z-E1-AZ — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
TK13E25D,S1X(S — TOSHIBA N-Channel MOSFET, Vdss 250V, Idr 13A, 150C, TO220-3 | По запросу | под заказ | Цена по запросу |