Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
DI110N03PQ — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный MOSFET транзистор (полевой), QFN5x6 (~TDSON-8), 56Вт, 30В, 110А, Rds ~ 2.2 мОм, -55…+150°С | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DI110N04PQ — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный MOSFET транзистор (полевой), QFN5x6 (~TDSON-8), 42Вт, 40В, 110А, Rds ~ 1.9 мОм, -55…+150°С | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DI110N04PQ-AQ — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный MOSFET транзистор (полевой), QFN5x6 (~TDSON-8), 42Вт, 40В, 110А, Rds ~ 1.9 мОм, -55…+150°С (AEC-Q101 qualification) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DIT050N06-DIO — DIOTEC SEMICONDUCTOR Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35А; Idm:90А; 85Вт; TO220AB Компонент снят с производства | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DIT090N06 — DIOTEC SEMICONDUCTOR Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 62А; Idm:310А; 160Вт; TO220AB | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DIT120N08 — DIOTEC SEMICONDUCTOR Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 84А; Idm:450А; 220Вт; TO220AB | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DIT195N08 — DIOTEC SEMICONDUCTOR Транзистор: N-MOSFET; полевой; 85В; 148А; Idm:850А; 300Вт; TO220AB | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2N7002 — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный FET транзистор (полевой), SOT-23, 0.35Вт, 60В, 280мА, Rds <5 Ом, -55…+150°С | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2N7002A — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный FET транзистор (полевой), SOT-23, 0.35Вт, 60В, 280мА, Rds <2 Ом, -55…+150°С | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
MMFTP3401 — DIOTEC SEMICONDUCTOR P-канальный FET транзистор (полевой), SOT-23 (TO-236), 1Вт, -30В, -4А, Rds <65 мОм, -55…+150°С | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DIT050N06 — DIOTEC SEMICONDUCTOR Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35А; Idm:90А; 85Вт; TO220AB | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DIT150N03 — DIOTEC SEMICONDUCTOR Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 105А; Idm:600А; 130Вт; TO220AB | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DI048N04PQ2-AQ — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный MOSFET транзистор (полевой), QFN5x6 (~TDSON-8), 28Вт, 40В, 48А, Rds ~ 8 мОм, -55…+150°С (AEC-Q101 qualification) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DI035N10PT — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный MOSFET транзистор (полевой), QFN3x3, 25Вт, 100В, 35А, Rds ~ 14 мОм, -55…+150°С | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DI038N04PQ2 — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный MOSFET транзистор (полевой), QFN5x6 (~TDSON-8), 31Вт, 45В, 38А, Rds ~ 10 мОм, -55…+150°С | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
DI038N04PQ2-AQ — DIOTEC SEMICONDUCTOR N-канальный MOSFET транзистор (полевой), QFN5x6 (~TDSON-8), 31Вт, 45В, 38А, Rds ~ 10 мОм, -55…+150°С (AEC-Q101 qualification) | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP88N04NUG — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SK3294-ZJ-E1-AZ/JM — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA1774G — RENESAS TECHNOLOGY Транзистор | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP50P04SDG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-40 В, ID=-50 А, Qg=100 нКл, PD=84 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0096 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP55N055SDG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=55 В, ID=55 А, Qg=64 нКл, PD=77 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0095 , 3pin-TO252 Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
NP83P06PDG-E1-AY — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-83 А, Qg=190 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,0088 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
UPA2757GR-E1-AT — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=5 А, Qg=10 нКл, PD=2 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,036 , 8pin-SOP-8 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
2SJ598-Z-E1-AZ — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
RJK60S3DPP-E0#T2 — RENESAS TECHNOLOGY MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=600 В, ID=12 А, Qg=13,6 нКл, PD=27,7 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,44 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтаж | По запросу | под заказ | Цена по запросу |