Чип-индуктивность LD1008-1R3J-N
Чип-индуктивность 1008, 1.3мкГн, 5%, 0.11Ом, 1100мА
Документация:
LD1008| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Индуктивность | 1,3 |
| Рабочий ток | 1,1 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |
Чип-индуктивность 1008, 1.3мкГн, 5%, 0.11Ом, 1100мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Индуктивность | 1,3 |
| Рабочий ток | 1,1 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |