Чип-индуктивность LS1008-1R2K-N
Чип-индуктивность 1008, 1.2мкГн, 10%, Q=55, 0.5Ом, 1200мА
Документация:
LS1008| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 55 |
| Индуктивность | 1,2 |
| Рабочий ток | 1,2 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 10% |