Чип-индуктивность LS1008-2R7K-N
Чип-индуктивность 1008, 2.7мкГн, 10%, Q=51, 1Ом, 950мА
Документация:
LS1008| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 51 |
| Индуктивность | 2,7 |
| Рабочий ток | 0,95 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 10% |