Чип-индуктивность LS1008-3R3J-N
Чип-индуктивность 1008, 3.3мкГн, 5%, Q=58, 1.15Ом, 900мА
Документация:
LS1008| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 58 |
| Индуктивность | 3,3 |
| Рабочий ток | 0,9 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |