Чип-индуктивность LS1008-3R9J-N
Чип-индуктивность 1008, 3.9мкГн, 5%, Q=37, 1.25Ом, 850мА
Документация:
LS1008| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 37 |
| Индуктивность | 3,9 |
| Рабочий ток | 0,85 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |