Чип-индуктивность NL252018T-4R7J-N
Чип-индуктивность 1008, 4.7мкГн, 5%, Q=25, 2.3Ом, 650мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 25 |
| Индуктивность | 4,7 |
| Рабочий ток | 0,65 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |
Чип-индуктивность 1008, 4.7мкГн, 5%, Q=25, 2.3Ом, 650мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 25 |
| Индуктивность | 4,7 |
| Рабочий ток | 0,65 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |