Чип-индуктивность NL252018T-6R8J-N
Чип-индуктивность 1008, 6.8мкГн, 5%, Q=20, 2.7Ом, 630мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 20 |
| Индуктивность | 6,8 |
| Рабочий ток | 0,63 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |
Чип-индуктивность 1008, 6.8мкГн, 5%, Q=20, 2.7Ом, 630мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 20 |
| Индуктивность | 6,8 |
| Рабочий ток | 0,63 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |