Чип-индуктивность NL252018T-8R2J-N
Чип-индуктивность 1008, 8.2мкГн, 5%, Q=20, 3.05Ом, 600мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 20 |
| Индуктивность | 8,2 |
| Рабочий ток | 0,6 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |
Чип-индуктивность 1008, 8.2мкГн, 5%, Q=20, 3.05Ом, 600мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 20 |
| Индуктивность | 8,2 |
| Рабочий ток | 0,6 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |