Чип-индуктивность NL252018T-820J-N
Чип-индуктивность 1008, 82мкГн, 5%, Q=10, 19Ом, 200мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 10 |
| Индуктивность | 82 |
| Рабочий ток | 0,2 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |
Чип-индуктивность 1008, 82мкГн, 5%, Q=10, 19Ом, 200мА
| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 10 |
| Индуктивность | 82 |
| Рабочий ток | 0,2 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |