Чип-индуктивность NLC252018T-1R0J-N
Чип-индуктивность 1008, 1мкГн, 5%, Q=25, 0.34Ом, 1500мА
Документация:
NLC252018| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 25 |
| Индуктивность | 1 |
| Рабочий ток | 1,5 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |