Чип-индуктивность NLC252018T-1R8J-N
Чип-индуктивность 1008, 1.8мкГн, 5%, Q=25, 0.45Ом, 1200мА
Документация:
NLC252018| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 25 |
| Индуктивность | 1,8 |
| Рабочий ток | 1,2 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |