Чип-индуктивность NLC252018T-1R8K-N
Чип-индуктивность 1008, 1.8мкГн, 10%, Q=25, 0.45Ом, 1200мА
Документация:
NLC252018Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
Добротность | 25 |
Индуктивность | 1,8 |
Рабочий ток | 1,2 |
Тип | Чип-индуктивность |
Типоразмер | EIA: 1008 |
Точность, % | 10% |