Чип-индуктивность NLC252018T-3R3J-N
Чип-индуктивность 1008, 3.3мкГн, 5%, Q=25, 0.65Ом, 1000мА
Документация:
NLC252018| Чип-индуктивность | CHILISIN ELECTRONICS |
| Добротность | 25 |
| Индуктивность | 3,3 |
| Рабочий ток | 1 |
| Тип | Чип-индуктивность |
| Типоразмер | EIA: 1008 |
| Точность, % | 5% |