Найдено компонентов: 2744
  • Все категории2.7K
Скачать список товаров
Партномер
СрокНаличиеЦена с НДС
AM30EW-4812SZAIMTEC
DC/DC преобразователь 30 Вт; вход 18~75В; однополярный выход 12В; 2.5А ; -40~75 ⁰C, дерейтинг при 50 ⁰C1600VDC 1600VDC ; MTBF 435000 часов; КПД 90 %; ёмк. нагрузка макс.2000 мкФ; корпус 2x1, медь; установка на печатную плату; 25.4x50.8x10.16 мм; 35 г; частота преобр.330 кГц; защита от КЗ длительная; функция выкл-вкл; функция подстройки напр.
Доступны аналоги (2)
Со склада
100 шт.
-85%1 087,69
TP2L48S05SW-3WTOPPOWER
DC-DC регулируемый, в корпусе SIP8, мощность 3 Вт , КПД 80 %, выходное напряжение 5 В, выходной ток 600 мА, входное напряжение 18-72 В, изоляция 1500 VDC, габаритные размеры 21.8*9.2*11.1 мм, защита от КЗ на выходе
Доступны аналоги (1)
Со склада
100 шт.
-31%340,12
HK32F030MF4N6Hangshun Chip Technology
ARM Cortex-M0, 16КБ Flash, 2КБ RAM, 448Б EEPROM,1xUSART, 1xI2C, 1xSPI, 1xI2S, 5 (12b) кан. АЦП, QFN20 (3*3), 1.8 ~ 3.6 В, -40 ~ 85 ˚C
Со склада
100 шт.
-31%43,42
DS1023-23-2*4S8SRXCONNFLY ELECTRONIC
Разъем "гнездо" 8 конт.(2x4) шаг 2.54 мм, поверхн. монтаж плату (Hизол.= 11.05 мм, шир. изол. 4.95 мм), с установ. крышкой (вид упак. "tape on reel"), позол.
Со склада
100 шт.
-28%13,25
TR231H-LSET
GDT, Ø8.0*10.0мм, 230В, 20кА (8/20мкс)
Со склада
100 шт.
-25%25,36
TR601H-LSET
GDT, Ø8.0*10.0мм, 600В, 20кА (8/20мкс)
Со склада
100 шт.
-25%25,41
FM24C16D-SO-TFudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-28%13,70
FM24C32D-SO-T-GFudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-28%12,98
FM24C64D-SO-T-GFudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-28%14,01
FM24C128D-SO-T-G-AXFudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-28%14,57
HK24C64-USR-BHangshun Chip Technology
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-31%25,18
HK24C256-USR-BHangshun Chip Technology
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-31%97,58
HK24C512-USR-BHangshun Chip Technology
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-31%97,58
Разъем
Со склада
100 шт.
-80%622,96
FC2402E01-NHWBTW-51SRFordata Electronics
Монохромный ЖКИ
Со склада
100 шт.
-36%524,23
FC0801A04-FHYYBW-91SRFordata Electronics
Монохромный ЖКИ
Со склада
100 шт.
-36%349,49
AME1-15SAZAIMTEC
AC/DC преобразователь 1 Вт; вход 90~305В; 47-440 Гц; однополярный выход 15В; 0.067А ; -40~80 ⁰C, дерейтинг при 80 ⁰C3000VAC 3000VAC ; MTBF 400000 часов; КПД 68 %; ёмк. нагрузка макс.560 мкФ; корпус Encapsulated, пластик; установка на печатную плату; 23.31x35.6x19.32 мм; 25 г; частота преобр.100 кГц; защита от КЗ длительная; ток утечки 0.15 мА
Со склада
100 шт.
-88%188,17
SK16DIOTEC SEMICONDUCTOR
диод Шоттки, DO-214AC (SMA), 60В/1А (100°С), -50…+150°С (аналог SS16)
Со склада
100 шт.
-30%1,21
CBMG709ATS16Corebai Microelectronics
CMOS Low Voltage, 3 Ω 4-Channel Multiplexer
Со склада
100 шт.
-84%81,53
HK32L084RBT6Hangshun Chip Technology
ARM Cortex-M0, 48КБ Flash, 128КБ RAM, 2xUSART, 2xUART, 1xLPUART, 2xI2C, 2xSPI, 2xI2S, 1xUSB2.0 FS, 1xCAN 2.0A/B, 8*28/4*32xSegment LCD, 16 (12b) кан. АЦП, 1 (12b) кан. ЦАП, 2 компаратора, 3 ОУ, LQFP64 (10*10), 1.8 ~ 4.2 В, -40 ~ 85 ˚C
Со склада
100 шт.
-31%205,72
PMS164-S16PADAUK Technology
1xFPPA, 14xIO(max), 1.75KW OTP ROM, 128B RAM, 8bit x 2 PWM, Comparator x 1, 12ch Touch, -20°C..70°C, SOP16
Со склада
100 шт.
-49%11,04
FM25128SI3-SO-T-GFudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-28%38,94
FM25512SI3-TS-T-G1Fudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-28%23,39
FM25512-DN-T-GFudan Microelectronics Group
Микросхема EEPROM памяти
Со склада
100 шт.
-28%23,33
APM32F030K6T6Geehy Semiconductor
ARM Cortex-M0+, 32КБ Flash, 4КБ RAM, 1(10)АЦП(кан), 1xSPI, 1xI2C, 1xU(S)ART, Vcc = 2 ~ 3,6 В, Ta = -40 ~ 85 ˚C , LQFP32
Со склада
100 шт.
-25%58,90