Партномер | Срок | Наличие | Цена с НДС |
|---|
LVC201B10-100T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 10мкГн, 30%, 1Ом, 0.54А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-150M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 15мкГн, 20%, 1.5Ом, 0.39А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-150T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 15мкГн, 30%, 1.5Ом, 0.39А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-1R0M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1мкГн, 20%, 0.095Ом, 1.86А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVC201B10-1R0T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 1мкГн, 30%, 0.095Ом, 1.86А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-5R6J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 5.6мкГн, 5%, Q=36, 1.45Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-5R6K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 5.6мкГн, 10%, Q=36, 1.45Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-6R8J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 6.8мкГн, 5%, Q=33, 1.6Ом, 600мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-6R8K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 6.8мкГн, 10%, Q=33, 1.6Ом, 600мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-8R2J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 8.2мкГн, 5%, Q=40, 1.8Ом, 550мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-8R2K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 8.2мкГн, 10%, Q=40, 1.8Ом, 550мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-3R3J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3.3мкГн, 5%, Q=58, 1.15Ом, 900мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-3R3K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3.3мкГн, 10%, Q=58, 1.15Ом, 900мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-3R9J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3.9мкГн, 5%, Q=37, 1.25Ом, 850мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-3R9K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 3.9мкГн, 10%, Q=37, 1.25Ом, 850мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-4R7J-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 4.7мкГн, 5%, Q=37, 1.35Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LS1008-4R7K-N — CHILISIN ELECTRONICS Чип-индуктивность 1008, 4.7мкГн, 10%, Q=37, 1.35Ом, 700мА | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS404026-220M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.0*4.0*2.6мм, 22мкГн, 20%, 0.021Ом, 0.86А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS404026-220T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.0*4.0*2.6мм, 22мкГн, 30%, 0.021Ом, 0.86А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS404026-3R3M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.0*4.0*2.6мм, 3.3мкГн, 20%, 0.045Ом, 2.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS404026-3R3T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.0*4.0*2.6мм, 3.3мкГн, 30%, 0.045Ом, 2.5А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS404026-4R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.0*4.0*2.6мм, 4.7мкГн, 20%, 0.06Ом, 1.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS404026-4R7T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 4.0*4.0*2.6мм, 4.7мкГн, 30%, 0.06Ом, 1.8А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS808040-470T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 47мкГн, 30%, 0.16Ом, 1.75А | По запросу | под заказ | Цена по запросу | |
LVS808040-4R7T-N — CHILISIN ELECTRONICS Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 4.7мкГн, 30%, 5.5А, 0.018Ом (аналог NR8040T4R7N) | По запросу | под заказ | Цена по запросу |